PG电子元器件 - OFweek电子工程网元器件是电子电路中的基本元素，通常是个别封装，并具有两个或以上的引线或金属接点。电子元件须相互连接以构成一个具有特定功能的电子电路，例如：放大器、无线电接收机、振荡器等，连接电子元件常见的方式之一是焊接到印刷电路板上。电子元件也许是单独的封装（电阻器、电容器、电感器PG电子娱乐平台、晶体管、二极查看详情

　　Transphorm发布两款4引脚TO-247封装器件，针对高功率服务器PG电子娱乐平台、可再生能源、工业电力转换领域扩展产品线加利福尼亚州戈莱塔 – 2024 年 1 月 17日 — 全球领先的氮化镓（GaN）功率半导体供应商 Transphorm, Inc.（纳斯达克：TGAN）今日宣布推出两款采用 4 引脚&

　　Transphorm推出顶部散热型TOLT封装FET器件， 助力计算、人工智能、能源和汽车电源系统实现卓越的热性能和电气性能

　　新推出器件是业界首款采用顶部散热的 TOLT 氮化镓晶体管，扩展Transphorm多样化的产品封装组合加利福尼亚州戈莱塔 – 2023 年 11 月 29 日 － 代表着下一代电源系统未来的，氮化镓

　　Transphorm推出TOLL封装FET，将氮化镓定位为支持高功率能耗人工智能应用的最佳器件

　　三款新器件为SMD的高功率系统带来了SuperGaN的常闭型（Normally－Off D－Mode）平台优势，此类高功率系统需要在高功率密度的情况下实现更高的可靠性和性能，并产生较低的热量加利福尼亚

　　Transphorm氮化镓器件助力DAH Solar(大恒能源)全球首个全集成化微型逆变器光伏系统

　　使用更为先进的 Transphorm氮化镓器件，使突破性的太阳能电池板系统外形更小、更轻，且拥有更高的性能和效率。加利福尼亚州戈莱塔 － 2023 年 10月 12日 － 新世代电力系统的未来，氮化镓（GaN）功率半导体的全球领先供应商Transphorm

　　ROHM推出全新Power Stage IC：可替代Si MOSFET，器件体积减少99％

　　近年来，为了实现可持续发展的社会，对消费电子和工业设备的电源提出了更高的节能要求PG电子娱乐平台。针对这种需求，GaN HEMT作为一种非常有助于提高功率转换效率和实现器件小型化的器件被寄予厚望。在此背景下，全球知名